用于低温电子学与空间电子学的光电人工智能处理器

专注于利用光磁阻技术实现容错型人工智能处理器的电气工程博士学位。要求拥有英国2:1学位，或具备芯片原型设计方面的纳米制造相关同等能力。

关于该项目 该博士项目旨在利用光忆阻器技术，开发适用于低温及空间电子设备的容错型人工智能 AI 处理器。这种技术模拟了神经网络结构，能够实现超快、低功耗的计算性能。 与 Von Ardenne GmbH 的合作为先进芯片设计中的材料加工与光子集成提供了工业层面的见解。 由于低温及空间电子设备的需求不断增加，低温处理器正逐渐受到关注。然而，当前的处理器基于 CMOS 技术制造，在低温环境下容易受到冻结攻击和磁干扰。在本项目中，你将基于忆阻器技术发明一种新型处理器组件，以打造具有容错能力的人工智能芯片。忆阻器是一种新兴存储技术，能够模拟生物神经网络，实现低功耗神经形态计算。忆阻器还可以通过光刺激进行编程，因此被称为光忆阻器，这证明了其与光子学集成以实现超快运行的独特可行性。 德国 Von Ardenne GmbH（VA）将作为本项目的工业合作伙伴，您将有机会参观 VA 工厂，并与 VA 工程师合作，后者能够提供关于材料加工与特性分析的支持。 第1年： 您将利用南安普顿大学与Von Ardenne 公司先进的洁净室设施，构建您的首个光忆阻器芯片原型。 您将学习纳米制造技术（薄膜工程与光刻技术），以制备晶圆级大规模光忆阻器阵列；同时学习表面/界面分析技术（先进显微镜与光谱学工具），以评估您的原型产品的质量。 在第2年： 您将开发一种协议，用于在低温环境下在磁场作用下通过激光脉冲对数据进行编码。 您将学习电学表征技术，以评估原型产品的突触功能与性能。 第3年： 您将依据实验结果设计神经网络，并评估芯片的计算精度。 您将学习如何向算法中引入噪声，以模拟由磁场和低温环境引发的干扰，并开发错误校正缓解策略。 电子与计算机科学学院致力于促进平等、多样性与包容性，这从我们获得的 Athena SWAN 奖中可见一斑。我们欢迎所有申请者，无论其性别、种族、残疾状况、性取向或年龄如何，并将充分考虑那些寻求灵活工作模式以及已休过职业休假的申请者。该大学拥有完善的产假政策、现场儿童保育设施，并提供多种福利措施，以保障员工的生活质量与工作生活平衡。南安普顿大学致力于可持续发展，并荣获了铂金级 EcoAward 认证。

入学要求 您必须拥有英国 2:1 荣誉学位，或其同等国际认可学位。

资助：竞争性资助 学费与资助 全额奖学金涵盖学费，以及按UKRI标准增加10% ORC补助后发放的年度免税生活津贴，最长资助3.5年（2025/26年度合计22,858英镑，此后逐年增加），另有4200英镑预算用于会议差旅等支出。 英国、欧盟及地平线欧洲计划项目学生有资格获得奖学金。中国奖学金委员会（CSC）学生有资格享受学费减免。其他国际申请人的资金支持非常有限且竞争极为激烈。已获得或正在寻求外部资金的海外学生也可申请。 如需更多信息，请访问我们的研究型研究生资助页面。

申请方式 您需： 选择课程类型（研究型）、2026/27学年、工程与物理科学学院 选择全日制或非全日制 搜索电子与电气工程博士项目（7092） 在申请表第2部分填写导师姓名 申请材料应包括： 研究计划书 您的CV（个人简历） 2份学术推荐信 截至目前的学位课程成绩单和证书 英语语言资格证明（如适用）