忆阻器的先进建模与特性表征

该项目通过器件模拟、电子特性分析及光电测量技术，研究忆阻器中的电阻调节机制。其目标是开发新的器件模型与表征方法，以推动神经形态计算技术的发展，进而提升人工智能硬件的能源效率与故障容忍度。

关于该项目 该项目将结合器件模拟、电子特性分析及光电测量技术，通过多种材料体系——包括混合钙钛矿、碳化硅和二氧化钒（IV）——来揭示基于Memristor的器件中的电阻调制机制。 南安普顿大学电子与计算机科学学院现提供机会，让申请者能够参与神经形态电子设备这一新兴领域的前沿研究。 忆阻器是一种基本的双端被动电子器件，其电阻状态取决于其历史状态。将一组忆阻器集成在一起可构成硬件神经网络，能够实现内存计算，与当前基于硅材料的人工智能加速器相比，这种技术有望实现更低的能耗、实时学习功能以及更高的容错能力。然而，该研究领域仍面临诸多挑战，包括理解各种电阻调制机制、器件稳定性以及状态保持问题。 将开发新的器件模型，以考虑不同的电阻调制机制，包括离子能量障碍调制、细丝形成、相变以及焦耳加热。从这些模型中获得的见解将用于设计瞬态电子与光电子特性表征方案，这些方案将在实际设备上进行测试。 该项目的最终目标是建立一套先进的表征方法，以明确识别各忆阻器设备的电阻调制机制。 这些研究成果将为下一代神经形态技术及高效节能人工智能硬件的设计提供重要的启示。 电子与计算机科学学院致力于促进平等与多样性，这从我们获得的 Athena SWAN 奖中可见一斑。我们欢迎所有申请者，无论其性别、种族、残疾状况、性取向或年龄如何，并将充分考虑那些寻求灵活工作模式以及有过职业休整的申请者。该大学拥有慷慨的产假政策、现场儿童保育设施，并提供多种福利措施，以保障员工的生活质量与工作生活平衡。南安普顿大学致力于可持续发展，并获得了铂金级 EcoAward 认证。

入学要求 您必须拥有英国 2:1 荣誉学位或其国际等效学位，且所学专业属于以下领域之一： 应用数学 物理学 电子学 或相关学科

资助：竞争性资助 学费与资助 我们为英国本土学生和国际学生提供多种资助机会。符合条件的学生可通过“地平线欧洲”学费减免，自动免除国际学生学费与英国本土学生学费之间的差额。 大学通过竞争性遴选授予的校长助学金，为遴选排名靠前的申请人支付国际学生学费与英国本土学生学费之间的差额。 本校各学院通过竞争性遴选提供的博士奖助金，通常为遴选排名靠前的申请人支付按英国本土学生标准收取的学费，并提供生活津贴。 资助采用滚动授予方式，因此请尽早申请，以尽可能增加进入资助评选的机会。 如需了解更多信息，请访问我们的研究生研究资助页面。

如何申请 您需： 选择课程类型（研究型）、2027/28学年、工程与物理科学学院 选择全日制或非全日制 选择相关的博士阶段电子与电气工程专业（7092） 第2节请注明指导老师的姓名 申请材料应包括： 个人陈述 您的CV（个人简历） 2份学术推荐信 至今为止的学位成绩单